[发明专利]硅异质结太阳电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911398836.0 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN113130671A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 王伟;赵晓霞;田宏波;周永谋;宗军;李洋;杨文魁 申请(专利权)人: 国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋合成
地址: 102209 北京市昌平区未来科技城国*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了硅异质结太阳电池及其制备方法。该硅异质结太阳电池包括:基材,基材具有相对设置的正面和背面;铜薄膜电极,铜薄膜电极设置在整个背面的一侧;图形化的铜栅线电极,铜栅线电极设置在所述正面的一侧。相比正面电极和背面电极均是图形化的铜栅线电极,本申请中背面电极为整面的铜薄膜电极,无需将其进行图形化,即可以节省背面电极图形化等工艺流程和光刻掩膜的使用,从而有效地降低铜电极的制作成本,进而降低硅异质结太阳电的整体制备成本;而且,整面的铜薄膜电极可以有效降低太阳电池的串联电阻,进而提高太阳电池的效率。
搜索关键词: 硅异质结 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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