[发明专利]头对头图形的制备方法有效
| 申请号： | 201911398950.3 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111146082B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李艳丽;杨渝书;伍强 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种头对头图形的制备方法，包括：提供一衬底，并在衬底上形成有待刻蚀层、第一硬掩模层、第二硬掩模层、牺牲层、第一介质层以及光刻胶层，经过EUV光刻，形成具有第一头对头图形的图形化的第一光刻胶层，并通过刻蚀工艺，将所述第一头对头图形转移至第二硬掩模层；然后通过再次EUV光刻形成具有第二头对头图形的图形化的第二光刻胶图形，并通过刻蚀工艺，将所述第二头对头图形也转移至第二硬掩模层；最后，将所述第一头对头图形和第二头对头图形转移到待刻蚀层上。上述方法只需要两次光刻曝光，就可形成周期减半且尺寸很小的头对头图形，即通过EUV光刻和刻蚀工艺达到节省光刻层次并能实现得到周期减半，且尺寸很小的头对头图形。 | ||
| 搜索关键词： | 对头 图形 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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