[发明专利]一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管有效

专利信息
申请号: 201911399356.6 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN113122260B 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 李龙基;刘文勇;杨一行 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;C09K11/02;H01L51/54;H01L51/56;H01L51/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管,其中,量子点材料包括量子点以及结合在所述量子点表面的双吡啶双酰胺类化合物。本发明选取双吡啶双酰胺类化合物作为量子点的配体,其吡啶基团和酰胺基团可为量子点表面提供更多潜在的配位点,使得量子点和配体之间的结合更牢固;所述吡啶基团中的N‑H氢键供体和酰胺基团中的C=O氢键受体有助于氢键的形成,有利于量子点胶体溶液稳定性;另外提供配位点的吡啶环增大了量子点之间的空间位阻,减弱了量子点之间的能量传递,有助于电子和空穴的有效复合,从而可以达到量子点发光效率和电学传输的平衡,提高QLED的发光性能。
搜索关键词: 一种 量子 材料 及其 制备 方法 发光二极管
【主权项】:
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