[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法

摘要

提供了一种三维半导体存储器件。该存储器件包括：衬底，具有单元阵列区域以及与单元阵列区域相邻的连接区域，连接区域包括第一焊盘区域和第二焊盘区域；电极结构，包括堆叠在衬底上的电极，电极结构包括形成上部阶梯结构的上部；第一虚设结构，与电极结构的上部横向间隔开，并且设置在第一焊盘区域上；以及第二虚设结构，与电极结构的上部横向间隔开，并设置在第二焊盘区域上。第一虚设结构和第二虚设结构中的每一个包括虚设阶梯结构，并且第一虚设结构位于比第二虚设结构更高的水平面处。