[发明专利]发光二极管在审

专利信息
申请号: 201911399673.8 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN111509101A 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 金在权;许暋赞;金京完;金钟奎;金贤儿;李俊燮 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46;H01L33/62
代理公司: 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 代理人: 李英艳;玉昌峰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种发光元件,其包括安装面以及发光二极管,发光二极管包括:基板;第一导电型半导体层;活性层;第二导电型半导体层,布置在活性层上;透明的导电性氧化物层,与第二导电型半导体层电接通;介电层,覆盖导电性氧化物层,并具有使得导电性氧化物层暴露的多个开口部;金属反射层,布置在介电层上,并通过介电层的开口部与导电性氧化物层接通;上绝缘层,布置在第二导电型半导体层上,并具有用于允许电接通的开口部;以及第一焊锡凸块及第二焊锡凸块,布置在上绝缘层上,并分别通过上绝缘层的开口部与第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层电接通,第一焊锡凸块以及第二焊锡凸块分别具有10um至100um范围内的厚度。
搜索关键词: 发光二极管
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司,未经首尔伟傲世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911399673.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code