[发明专利]发光二极管在审
申请号: | 201911399673.8 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN111509101A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 金在权;许暋赞;金京完;金钟奎;金贤儿;李俊燮 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/62 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种发光元件,其包括安装面以及发光二极管,发光二极管包括:基板;第一导电型半导体层;活性层;第二导电型半导体层,布置在活性层上;透明的导电性氧化物层,与第二导电型半导体层电接通;介电层,覆盖导电性氧化物层,并具有使得导电性氧化物层暴露的多个开口部;金属反射层,布置在介电层上,并通过介电层的开口部与导电性氧化物层接通;上绝缘层,布置在第二导电型半导体层上,并具有用于允许电接通的开口部;以及第一焊锡凸块及第二焊锡凸块,布置在上绝缘层上,并分别通过上绝缘层的开口部与第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层电接通,第一焊锡凸块以及第二焊锡凸块分别具有10um至100um范围内的厚度。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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