[发明专利]多层单晶硅纳米膜/石墨烯光电探测器及制备方法

摘要

本发明公开一种多层单晶硅纳米膜/石墨烯光电探测器及制备方法，该光电探测器基于单晶硅/石墨烯肖特基异质结光电探测器优异性能的基础上，采用多层单晶硅纳米薄膜/石墨烯叠层结构，在拥有柔性的基础上，多层结构一方面增加了同一区域石墨烯与单晶硅纳米薄膜的接触面积；同时也增加了厚度，提高了器件对长波长光的吸收能力，提升了器件对长波长光的响应；并且采用的单晶硅纳米薄膜为多孔结构，减少了单晶硅纳米薄膜对光的反射，提高了器件对光的吸收。该多层单晶硅纳米薄膜/石墨烯范德瓦尔斯异质结光电探测器结构能够提升器件的探测性能，为该领域的器件性能优化提供一种方案。