[发明专利]沟槽型场效应晶体管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911400665.0 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113130633B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 姚鑫;焦伟;骆菲;冉英 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 401331 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管结构及制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，生长外延层，形成第一沟槽、第二沟槽，制备屏蔽介质层、屏蔽栅层、屏蔽栅隔离层、栅介质层、栅极层、引出栅第一介质层、第一引出栅层、引出栅隔离层、引出栅第二介质层以及第二栅层，形成体区和源极，制备源极接触孔、引出栅接触孔，制备源极金属引出结构及引出栅电极结构。本发明将栅极引出结构制备在器件区之外的区域，可以制备较宽的第二沟槽，无需增加光罩，可制备较厚的第二引出栅层(如栅极多晶硅)和外延层之间引出栅第二介质层(如氧化层)，满足器件击穿电压需求。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 场效应 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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