[发明专利]一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管有效
| 申请号： | 201911401405.5 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113130779B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李龙基;刘文勇;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料的制备方法包括步骤：将Zn源、磷钼酸和有机溶剂混合，经反应生成ZnO晶核，ZnO晶核与磷钼酸共组装，得到片状结构的纳米材料。与现有普通ZnO纳米材料相比，本发明纳米材料在溶液中的稳定性更高，成膜更均匀，而普通ZnO纳米颗粒在溶液中不稳定，易析出；并且其电子迁移率明显更高，这主要是因为二维杂化超细纳米片的优异结构；另外所述纳米材料与蓝色量子点的壳层能级更加匹配，这有利于电子的快速注入传输，从而有效平衡器件发光层中的载流子，提高器件的光学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
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