[发明专利]一种单向浪涌保护器件及制造方法在审
| 申请号： | 201911402740.7 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111180337A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 孙春明;陈敏;苏昊;朱同祥;邱星福;刘宗金 | 申请（专利权）人： | 上海芯导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种单向浪涌保护器件及制造方法，属于功率器件技术领域，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型外延层，外延层上表面形成有第一导电类型第一掺杂区和第二导电类型第二掺杂区，第一掺杂区环绕第二掺杂区设置；保护层，生长于外延层的上表面，保护层上设有第一接触孔和第二接触孔，保护层上表面和接触孔内形成有第一金属层，第一金属层将第一掺杂区和第二掺杂区短接；有益效果是：通过引入深槽隔离工艺，一方面大幅度地增大了IPP，另一方面深槽隔离可以实现在器件中引入n‑p‑n穿通型结构，使得器件带有负阻特性从而获得较低的钳位电压V |
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| 搜索关键词： | 一种 单向 浪涌保护器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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