[发明专利]屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法在审
| 申请号： | 201911404392.7 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN110993502A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 宁润涛;周正良;黄康荣 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法，包括：提供具有沟槽的衬底，沟槽的底部和侧壁形成有介质层，介质层延伸至衬底表面；在沟槽内填充牺牲层，牺牲层延伸覆盖衬底表面的介质层；去除牺牲层；在沟槽内填充屏蔽栅材料层。本发明在屏蔽栅材料层填充前，在沟槽内填充牺牲层，通过刻蚀牺牲层减弱或消除沟槽顶端的收口，避免屏蔽栅材料层填充过程中出现空洞，改善器件电性。进一步的，本发明分两步去除牺牲层，第一步刻蚀牺牲层至沟槽的第一预定高度位置后，湿法清洗暴露出的介质层，在不影响沟槽下部形貌的情况下，增大沟槽顶端开口的倾斜角，改善沟槽上部的形貌，提高屏蔽栅材料层的填充能力，提高元胞密度，改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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