[发明专利]一种基于VGF法的气相掺杂的晶体生长方法有效
| 申请号： | 201911405446.1 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111041550B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 赵有文;段满龙;刘鹏;卢伟;杨俊;刘京明;谢辉 | 申请（专利权）人： | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/06 | 分类号： | C30B11/06;C30B29/40;C30B11/00 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 闫有幸 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于VFG法的气相掺杂的晶体生长方法；涉及晶体制备技术领域。包括以下步骤：S1、将晶体生长用多晶、籽晶、红磷放入坩埚；S2、将所述坩埚放置于石英管内；其特征在于，步骤S2之后还包括，S3、将连接有掺杂剂的石英封帽盖在所述石英管上，并使得所述掺杂剂位于所述石英管内，且所述掺杂剂与多晶、籽晶以及红磷不接触；之后将石英封帽与石英管密封。通过对VGF法晶体生长用的石英封帽、升温工艺的改进，让掺杂剂与晶体生长的其他原材料分离开来，掺杂剂Fe元素通过气相扩散进行进入熔体，实现掺杂浓度均匀，提高了晶体电阻率均匀性及成晶率；同时也能够降低掺杂剂Fe的掺杂量，节省了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 vgf 掺杂 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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