[发明专利]一种金属化多晶硅红外微测辐射热计及其制备方法有效
申请号: | 201911407331.6 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN113130693B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 纪小丽;罗明成;闫锋;石东海 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 江苏法德东恒律师事务所 32305 | 代理人: | 李媛媛 |
地址: | 210046 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属化多晶硅红外微测辐射热计及其制备方法。该微测辐射热计包括硅衬底、吸收体和反射层,其中,吸收体位于硅衬底上方,吸收体是由二氧化硅/金属化多晶硅/二氧化硅/氮化硅构成的堆叠结构;吸收体的上方设有反射层,反射层与吸收体之间具有空腔。本发明增强吸收的金属化多晶硅红外微测辐射热计可以由标准的集成电路工艺技术制备获得,能够实现功能的高度集成化,功耗低,且具有成本优势。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属化 多晶 红外 辐射热 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的