[发明专利]氮化镓晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201911407484.0 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111081772A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 逯永建;贾利芳;肖金平;闻永祥;李东昇 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种氮化镓晶体管及其制造方法，包括：在势垒层上方的第一区域形成栅叠层，栅叠层包括栅极结构层以及位于栅极结构层和势垒层之间的第一插入层；以及在势垒层上方的第二区域形成第一空穴注入层，第一区域和第二区域彼此隔开，其中，形成栅叠层的步骤包括采用第一抗蚀剂掩膜对硬掩膜层进行图案化、采用第一抗蚀剂掩膜对掺杂层图案化以形成栅极结构层、以及采用硬掩膜层对插入层图案化以形成第一插入层。该制造方法将硬掩膜层用于后续的图案化工艺，可以避免多次光刻的错位，以简化氮化镓晶体管的制造工艺以及提高产品良率。该氮化镓晶体管采用第一空穴注入层向沟道层中注入电荷以释放陷阱能级捕获的电子，因而可以获得稳定的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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