[发明专利]一种半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 201911407524.1 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111081707B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 沈鼎瀛 | 申请（专利权）人： | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/24;H01L45/00;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京乐知新创知识产权代理事务所(普通合伙) 11734 | 代理人： | 江宇 |
| 地址： | 361008 福建省厦门市软件*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法。其中，半导体集成电路器件包括：基板；在基板之上，并列有动态随机存取存储器(DRAM)单元和电阻式随机存取存储器(RRAM)单元；其中，DRAM单元和RRAM单元相互隔离，且DRAM单元的电容器与RRAM单元的可变电阻结构均采用金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构，可使用相同的工艺和材料制备。如此，可将DRAM单元与RRAM单元以较为简易的生产工艺制备在同一块芯片上，既能减少数据传输损耗，还能节约空间，满足微缩化需求，从而大大提高了产品的性价比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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