[发明专利]一种磷化铟双异质结双极型晶体管制造方法有效
| 申请号： | 201911408282.8 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111081544B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 任春江;程伟 | 申请（专利权）人： | 中电国基南方集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 211153 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磷化铟双异质结双极型晶体管的制造方法，包括：形成发射极电极后以其为掩膜进行选择性腐蚀获得比发射极电极缩小后的发射极台面；填充第一介质层到发射极电极下发射极台面的侧壁形成对发射极电极的支撑保护；制作基极电极，制作比基极电极缩小后的基极台面；填充第二介质层到基极电极下基极台面的侧壁形成对基极电极的支撑保护；制作集电极电极，以第三光刻胶层为掩膜进行选择性腐蚀并去除第三光刻胶层获得隔离台面完成器件制作。本发明有助于提升磷化铟双异质结双极型晶体管性能的同时保证最终成品率，且可操作性和通用性强，适用于微米级到亚微米级等各种发射极尺寸的磷化铟双异质结双极型晶体管制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 铟双异质结双极型 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
