[发明专利]阻变存储阵列的操作方法有效
| 申请号： | 201911409107.0 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111091858B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 潘立阳;孙婧瑶;吴华强 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种阻变存储阵列的操作方法，该阻变存储阵列包括多个存储单元、多条位线、多条字线、多个块选择电路及多个初始化电路。每个存储单元包括阻变器件和开关器件。该多个存储单元沿第一方向和第二方向排列为多个存储单元行和多个存储单元列，该多条位线与该多个存储单元列一一对应连接。该操作方法包括：将该多个块选择电路关闭，并通过该多个初始化电路及该多条位线对选中的至少一个存储单元行的存储单元进行第一初始化操作和第二初始化操作。通过该操作方法获得的阻变器件的电阻值具有更好的精确度和一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 阵列 操作方法 | ||
【主权项】：
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