[发明专利]一种高性能的振荡器有效
| 申请号： | 201911410432.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN110995160B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 韩旭善;陈长兴 | 申请（专利权）人： | 广州裕芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 广州睿金泽专利代理事务所(普通合伙) 44430 | 代理人： | 胡婧娴 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能振荡器，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一电容C1、第二电容C2、施密特触发器SMT、反相器INV1及振荡器的输出OSC。本专利振荡器电路结构简单成本低，只采用简单的电路元件和一个施密特触发器组成，性能好，灵活控制。可根据设计需要选择调整电阻R1与R2的阻值、或者调整电容C1与C2的容值、或者施密特触发器的导通电压与关断电压阈值来控制振荡器的频率及占空比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 振荡器 | ||
【主权项】：
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