[发明专利]一种用于测量晶体在高压下溶解度的装置与方法有效

专利信息
申请号: 201911410916.3 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111077175B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 贺端威;胡启威 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: G01N23/20 分类号: G01N23/20;G01N23/20041;G01N23/20033;G01N23/20025
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种用于测量晶体在高压下溶解度的装置,包括压砧组件,所述压砧组件包括砧面相对的上压砧、下压砧,上压砧、下压砧之间设置密封垫,所述密封垫的内圈与所述上压砧、下压砧的砧面围成密封溶剂槽,所述溶剂池内填充溶剂,待测样品浸于溶剂内且设置于密封垫的内圈处,其中,所述待测样品由待测晶体与非溶基体混合后压致成型的块体,所述溶剂为待测晶体的饱和溶液。本发明提供的用于测量晶体在高压下溶解度的装置与方法,通过在压砧内部引入溶剂池的方法,可突破高压样品腔体积的限制,实现利用高压原位衍射(中子衍射及x衍射均可)直接测量晶态物质在高压下的溶解度这一目的。
搜索关键词: 一种 用于 测量 晶体 压下 溶解度 装置 方法
【主权项】:
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