[发明专利]一种缺陷石墨烯与一种锂金属电池在审
| 申请号： | 201911410950.0 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111074233A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张洒洒;邓伟;周旭峰;刘兆平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/52;C23C16/56;H01M4/66;H01M10/052;H01M10/058 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 付丽 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种缺陷石墨烯的制备方法，其利用常规的CVD方法，通过调控生长过程中的参数来制备缺陷石墨烯，或利用CVD法制备完整的石墨烯，再利用激光刻蚀的方法在石墨烯上制造缺陷。本申请还提供了一种锂金属电池。本申请利用岛状石墨烯实现了对锂金属负极改性；以缺陷石墨烯改性的铜箔作为锂金属电池的集流体，缺陷石墨烯诱导锂沉积，使其沉积成高质量、平整的形貌，提高了电池的电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 石墨 金属 电池 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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