[发明专利]一种高冷却性能的静电卡盘在审
| 申请号： | 201911411327.7 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128844A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨冬野;袁蕾 | 申请（专利权）人： | 苏州芯慧联半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 高玲玲 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高冷却性能的静电卡盘，包括作为母体的有二径路的媒体流通的金属基盘，在氧化铝第一层上部表面进行熔射而形成吸着电极，以及在吸着电极上方和金属基盘侧面及上方通过熔射形成的氧化铝第二层，氧化铝第一层和氧化铝第二层共同构成一体化绝缘电介质；所述金属基板具备至少能容纳两种冷却流通路径，相关路径中的其中一个从上述金属基板同一面输入，然后输出，相关路径中的另一个路径通过上述金属基板，从上述媒体的一面输入向另一面输出，并且从上述金属基板的上部位置贯通至上述绝缘电介质。此发明的静电卡盘不仅价格低廉，并且提供充分的冷却性能的并可以减少微粒的产生，并通过静电卡盘重复使用来降低生产成本并保证资源再利用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冷却 性能 静电 卡盘 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
