[发明专利]一种器件匹配的高效散热半导体衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201911411764.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129942A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 贾慧民;李星晨;郭德双;魏志鹏;晏长岭;李岩;房丹;林逢源;王晓华;马晓辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/024;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种器件匹配的高效散热半导体衬底及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明提供的半导体衬底的背面设置有周期分布排列的凹槽，凹槽内填充有纳米导热材料，且凹槽的横截面尺寸小于器件芯片的横截面尺寸，即仅在凹槽区域有纳米导热材料，相邻凹槽之间预留有未覆盖纳米导热材料的区域，这样使得半导体衬底背面高导热部分与器件芯片尺寸相匹配，解理时沿着预留出的凹槽之间未覆盖纳米导热材料的衬底的中线解理即可，解决了现有半导体衬底背面制备导热薄膜时存在器件芯片解理难度较大易碎裂的问题；此外，在衬底背面设置凹槽，相当于减薄了衬底的厚度，降低了热阻，同时在凹槽中填充纳米导热材料，增大了衬底散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 匹配 高效 散热 半导体 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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