[发明专利]提高栅氧化层质量的制备工艺有效
| 申请号： | 201911412221.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN110993486B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吴会利;刘淼 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/423 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种提高栅氧化层质量的制备工艺，属于半导体功率器件制造加工技术领域。该工艺包括：(1)制备栅氧化层前对硅片进行清洗，以保证硅片表面的洁净；(2)制备栅氧化层前进行管道处理，以改善炉管内气氛，具体是采用低温条件以及在氮气携带的偏二氯乙烯气氛中进行处理；(3)制备栅氧化层：在O |
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| 搜索关键词： | 提高 氧化 质量 制备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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