[发明专利]一种H桥短路保护电路在审

专利信息
申请号: 201911412986.2 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN110943439A 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 张南阳;蒋赛尖;马辉 申请(专利权)人: 无锡思泰迪半导体有限公司
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H02H3/28;H03K5/24
代理公司: 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 代理人: 张宁;杨辰
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及模拟集成电路领域,具体为一种H桥短路保护电路,其能够让H桥没有短路电流流过,保护PMOS管,其包括比较器COMP1和比较器COMP,比较器COMP1的输入端连接电阻R0一端、PMOS管PM2的漏端,PM2的源端连接VDD和PMOS管PM0的源端,PMOS管PM2的栅端和PMOS管PM0的栅端相连,PMOS管PM0的漏端连接NMOS管NM0的漏端、NMOS管NM2的漏端、电阻R0另一端,NMOS管NM2的栅端和NMOS管NM0的栅端相连,NMOS管NM0的源端连接电阻R1一端并接地,电阻R1另一端连接NMOS管NM2的源端和比较器COMP的输入端,比较器COMP1的输出端与比较器COMP的输出端连接或门的输出端,或门的输出端为OUT端口,其特征在于,比较器COMP1包括PMOS管PM10、PMOS管PM1、PMOS管PM9、PMOS管PM3。
搜索关键词: 一种 短路 保护 电路
【主权项】:
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