[发明专利]GaN功率器件的保护电路有效
| 申请号： | 201911413201.3 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111146770B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 雷文平;张静静;俞利光;高衡;林晓君 | 申请（专利权）人： | 三维通信股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 龙伟 |
| 地址： | 310000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种GaN功率器件的保护电路。该电路包括：负压生成单元、栅极电压切换单元和漏极电压切换单元；负压生成单元包括负压转换子单元和负压比较子单元，负压转换子单元用于将供电电源转换为栅极保护电压；负压比较子单元用于在栅极保护电压的幅值低于预设幅值的情况下输出漏极电压关断信号；通过将漏极电压切换单元的推挽电路子单元分别连接至负压比较子单元的输出端、公共端、GaN功率器件的漏极以及GaN功率器件的漏极的供电电源，推挽电路子单元用于根据漏极电压关断信号将GaN功率器件的漏极与公共端导通。本申请解决了GaN功率器件的保护电路掉电导致GaN功率器件容易被烧坏的问题，避免了GaN功率器件的保护电路掉电导致的GaN功率器件的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | gan 功率 器件 保护 电路 | ||
【主权项】：
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