[发明专利]一种免焊料高导热半导体衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201911413369.4 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111082308A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 魏志鹏;唐吉龙;申琳;宿世臣;张贺;王海珠;房丹;王登魁;王晓华;马晓辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种免焊料高导热半导体衬底及其制备方法，属于半导体技术领域。采用本发明提供的方法制备的半导体衬底中，背面设置有孔洞，且通过蒸镀法将延展性较好的金属材料填充在孔洞内，在孔洞填充满后继续利用蒸镀法继续在刻蚀衬底的背面制备金属材料层，使用该半导体衬底时，所述金属材料层可以充当焊料层，加热热沉后，即可实现半导体衬底与热沉直接粘附，省去了额外在热沉上制备焊料层的工艺，减少器件制备工艺步骤。此外，本发明在衬底基体背面设置孔洞，且孔洞中填充延展性好、导热能力强的金属材料，芯片受热膨胀时，不会由于过大的应力而造成芯片损坏以及与热沉脱离的问题，提升了半导体激光器芯片的寿命和半导体激光器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 焊料 导热 半导体 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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