[发明专利]在碳布基底上生长的尖晶石型CuCo2有效

专利信息
申请号: 201911413749.8 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111161960B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 仝玉萍;张亚辉;何伟伟;王俊艳;张红松;吴新远;赵珺;郝用兴;王晗晗;史玉茸;倪增磊;李宁宁;李鑫宇;杨煜晨;李振洋 申请(专利权)人: 华北水利水电大学
主分类号: H01G11/30 分类号: H01G11/30;H01G11/32;H01G11/24;H01G11/86
代理公司: 北京栈桥知识产权代理事务所(普通合伙) 11670 代理人: 刘婷
地址: 450011 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种在碳布基底上生长的尖晶石型CuCo2O4高性能电极材料合成方法,将亲水碳布经表面湿法改性后,将Cu(NO3)2·3H2O、Co(NO3)2·6H2O溶解到不同比例去离子水和乙醇的混合溶液中,再加入尿素和氟化铵,放入改性后的碳布,反应完成后产采用8wt%CaCl2的水/乙醇(3:2v/v)溶液作为浸泡液进行浸泡处理,所得样品煅烧后自然冷却得到CuCo2O4纳米/碳布。本发明方法制备所得高性能电极材料高度结合了碳布和纳米材料CuCo2O4的优良性能具有耐腐蚀、耐高温、成本低廉、无环境污染、化学性质稳定、室温下的高导电性,良好的氧化还原性可逆性、高电荷存储容量等优点,且所用原料廉价易得,制备方法简单可控,适于规模化生产。
搜索关键词: 基底 生长 尖晶石 cuco base sub
【主权项】:
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