[发明专利]一种奇数尼龙介电薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911414813.4 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN113121862A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 梁子材;蔡绪福;袁丹丹;廖良;梁立;廖家兴 申请(专利权)人: 都江堰市天兴硅业有限责任公司
主分类号: C08J7/12 分类号: C08J7/12;C08J7/00;C08J5/18;C08L77/02
代理公司: 北京东灵通专利代理事务所(普通合伙) 61242 代理人: 李思琼
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种奇数尼龙介电薄膜及其制备方法,该制备方法是将奇数尼龙原材料,经过干燥、压片制膜工艺,不必经过拉伸,直接在不同的温度施加电压进行极化处理,在不改变化学结构的条件下,改变材料的聚集态结构晶体结构,特别是改变了氢鍵的方向,从而获得高介电常数奇数尼龙薄膜材料。且采用该制备方法得到的高介电常数薄膜,具有优良的压电性能、热电性能和铁电性能,而且力学性能和耐热性能也十分优良,特别适合航空航天领域,可以大幅度减少电子器件的体积和重量,在军工行业更有应用前景。
搜索关键词: 一种 奇数 尼龙 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
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