[发明专利]相变化记忆体装置在审
| 申请号： | 201911416522.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111952447A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 李东颖;余绍铭;林毓超 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 相变化记忆体装置包括底部电极、底部记忆体层、顶部记忆体层和顶部电极。底部记忆体层位于底部电极上方。底部记忆体层具有第一高度并包括锥形部分和颈部。锥形部分具有第二高度。第二高度与第一高度的比例在约0.2至约0.5的范围内。颈部位于锥形部分和底部电极之间。顶部记忆体层位于底部记忆体层之上。底部记忆体层的锥形部分在从顶部记忆体层朝向颈部的方向上逐渐变细。顶部电极位于顶部记忆体层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 装置 | ||
【主权项】：
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