[发明专利]高功率下功率耦合器与高频腔之间的耦合度测量方法有效
| 申请号： | 201911416535.6 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111044834B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王云;刘华昌;戴建枰;李阿红;吴小磊;李波;陈强;樊梦旭;瞿培华;谢哲新;慕振成 | 申请（专利权）人： | 散裂中子源科学中心 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R21/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 谢静娜 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区总部*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高功率下功率耦合器与高频腔之间的耦合度测量方法，先在耦合孔处发生全反射的情况下测量定向耦合器的反射功率和前向功率，并计算从功率计位置至耦合孔处功率的衰减系数；然后在耦合孔处反射功率最小的情况下测量定向耦合器的前向功率和反射功率，并采集高频腔的场幅衰减曲线和相位角衰减曲线，计算出高频腔入口反射系数的幅度值；最后计算高功率下功率耦合器与高频腔之间的耦合度。本发明可实现在高功率下实时测量和计算功率耦合器与高频腔之间的耦合度，便于用户监测耦合度的变化，也便于后续评估高频腔长时间运行后耦合度的偏移量等参数。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 耦合器 高频 之间 耦合度 测量方法 | ||
【主权项】：
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