[发明专利]一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构在审

专利信息
申请号: 201911416745.5 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111106743A 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 冯子秋 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;G06F1/26
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 李舜江
地址: 215100 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构,所述的实现热插拔MOSFET均流的电路结构串联在主板的供电母线上,该电路结构包括热插拔控制器和若干级模拟控制电路;每级模拟控制电路的输入端均连接到供电母线的输入电流;每级模拟控制电路的输出端均用于连接到负载;若干级模拟控制电路分别与热插拔控制器连接;每级模拟控制电路均包括采样电阻、比较模块、MOSFET管和调控三级管;所述的采样电阻分别与比较模块和MOSFET管连接,比较模块的输出端连接到调控三极管,所述的比较模块的输入端还连接到基准电流;MOSFET管和调控三级管连接,所述的调控三极管连接到热插拔控制器。
搜索关键词: 一种 实现 热插拔 mosfet 电路 结构
【主权项】:
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