[发明专利]一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构在审
申请号: | 201911416745.5 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111106743A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 冯子秋 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;G06F1/26 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 李舜江 |
地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种实现热插拔MOSFET均流的电路结构,所述的实现热插拔MOSFET均流的电路结构串联在主板的供电母线上,该电路结构包括热插拔控制器和若干级模拟控制电路;每级模拟控制电路的输入端均连接到供电母线的输入电流;每级模拟控制电路的输出端均用于连接到负载;若干级模拟控制电路分别与热插拔控制器连接;每级模拟控制电路均包括采样电阻、比较模块、MOSFET管和调控三级管;所述的采样电阻分别与比较模块和MOSFET管连接,比较模块的输出端连接到调控三极管,所述的比较模块的输入端还连接到基准电流;MOSFET管和调控三级管连接,所述的调控三极管连接到热插拔控制器。 | ||
搜索关键词: | 一种 实现 热插拔 mosfet 电路 结构 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
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