[发明专利]一种电磁屏蔽结构的制造方法在审
| 申请号： | 201911417008.7 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111048426A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 桂珞 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张立君 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电磁屏蔽结构的制造方法，包括：提供衬底；将初始芯片设置于所述衬底；通过真空贴合在所述初始芯片上形成一层或多层电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层覆盖所述初始芯片的顶部和侧壁；对所述电磁屏蔽层和衬底进行切割，形成芯片。采用本发明的电磁屏蔽结构的制造方法，与现有技术相比，真空贴合的方式受到材料的限制较低，使得更多屏蔽效果更好的材料能够应用于芯片的电磁屏蔽；能够保证所述电磁屏蔽层和初始芯片紧密结合，为形成多层电磁屏蔽层提供可能；同时，其电磁屏蔽层可以事先根据应用场景而针对性制备，无需通过沉积或烧结，降低了工艺难度，缩短了芯片制造的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电磁 屏蔽 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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