[发明专利]一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管

摘要

本发明公开一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管，所述量子点包括：CdXZn1‑XSe量子点核，沿所述CdXZn1‑XSe量子点核径向方向上从内向外，X逐渐减小，其中0＜X＜1；第一外壳，所述第一外壳形成在所述CdXZn1‑XSe量子点核的表面上；第二外壳，所述第二外壳形成在所述第一外壳远离所述CdXZn1‑XSe量子点核一侧的表面上。本发明提供了一种具有梯度合金结构的量子点，其中，CdXZn1‑XSe量子点核是成分梯度变化的合金，CdSe成分在内核占主导，ZnSe成分在外核占主导，由于CdSe的禁带宽度小于ZnSe，因此CdXZn1‑XSe量子点核的能级向外连续且变宽，这种结构更有利于电荷的传输及复合发光，从而提高蓝色量子点发光二极管器件的性能。