[发明专利]一种引入本征缺陷实现过渡金属硫族化合物磁电一体化调控的方法有效
| 申请号： | 201911417738.7 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111153388B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 吴琛;王晖;严密;邢雪君 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;C01G49/12;C01G39/06;C01G41/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 郑海峰 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种引入本征缺陷实现过渡金属硫族化合物磁电一体化调控的方法。为了实现“宽、薄、轻、强”的电磁波吸收目标，传统吸波材料一般通过将介电组分与磁性组分复合，通过调整二者比例来增强材料的阻抗匹配和电磁波衰减能力，但不同组分复合的制备方法复杂且可控性不高。通过合成非化学计量平衡配比的过渡金属硫族化合物，引入本征空位缺陷诱导磁性，使材料兼具电损耗和磁损耗。通过改变本征缺陷的含量可有效调控过渡金属硫族化合物的磁电参数，进而实现阻抗匹配和增强吸收，具有良好的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引入 缺陷 实现 过渡 金属 化合物 磁电 一体化 调控 方法 | ||
【主权项】：
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