[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911418234.7 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130632B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 赵景川;张志丽;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，位于第一导电类型的衬底内；纵向浮空场板阵列，包括若干个呈多行多列间隔排布的纵向浮空场板结构；纵向浮空场板结构包括设于沟槽内表面的介质层及填充于沟槽内的导电层，沟槽从第二导电类型的漂移区贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内；若干个第一导电类型的注入区域，位于第二导电类型的漂移区内，且位于各行相邻两纵向浮空场板结构之间。纵向浮空场板结构从第二导电类型的漂移区表面贯穿第二导电类型的漂移区并延伸至第一导电类型的衬底内，使得纵向浮空场板结构底部的电势被表面限制，从而提高了器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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