[发明专利]等离子体刻蚀设备有效
| 申请号： | 201911418496.3 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130284B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 周艳;徐朝阳 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 林哲生 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备包括：电极组件，该电极组件具有第一电极和第二电极，且二者间具有间隙；等离子体约束环，其上表面具有高度小于第二电极上表面的设定空间；移动环组件；驱动机构，该驱动机构能够改变移动环组件的空间姿态，使得移动环组件处于第一姿态，露出间隙，以便于在第二电极上表面放置待刻蚀晶圆，或使得移动环组件处于第二姿态，密封间隙的四周，且隔离间隙与设定空间，以形成第一等离子体分布空间，或使得移动环组件处于第三姿态，密封间隙的四周，且连通间隙与设定空间，以形成第二等离子体分布空间。应用本发明提供的等离子体刻蚀设备，实现了等离子体体积大小的调节，结构简单，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
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