[发明专利]超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法在审
| 申请号： | 201911420219.6 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111128761A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 田爱民;赵鹤然 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超大尺寸集成电路金锡合金密封过程中的空洞控制方法，属于集成电路电子封装技术领域。该方法包括：(1)获取管壳密封区尺寸；(2)按比例关系设计盖板和焊料环尺寸；(3)将焊料环点焊在盖板上，并置于管壳密封区上形成装配体；(4)将所述装配体用压力源固定后，放入低温烧结炉中进行烧结处理，形成密封结构。所述压力源采用不锈钢弹簧夹，共4只，每只弹簧夹向盖板施加的压力值均为2.0磅，施力位置为盖板四角位置。该方法通过在盖板四角位置施加一定数值的压力，可以将密封区周长大于90mm的电路密封空洞检验合格率提升到95％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 超大 尺寸 集成电路 合金 密封 过程 中的 空洞 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
