[发明专利]一种模拟型全碳基忆阻突触器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201911420433.1 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112563414B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘益春;陈颖;张雪;林亚;王中强;曾涛;徐海阳 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G06N3/063 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种模拟型全碳基忆阻突触器件及其制备方法，所述器件包括底电极、中间层和顶电极，所述中间绝缘层设置在底电极和顶电极之间；所述底电极为高导电性的碳材料；所述中间层为氧化石墨烯掺杂含氮的碳量子点的复合薄膜；所述顶电极为还原氧化石墨烯。本发明通过紫外光照射中间层，使含氮的碳量子点周围产生的光生电子会还原GO表面官能团，产生局部导电的还原氧化石墨烯。在电场作用下，器件中氧离子迁移，形成多条弱导电丝，产生阻态连续变化的模拟型忆阻行为。该全碳基记忆突触器件能够实现短期/长期突触可塑性，如双脉冲易化和时序依赖突触可塑性。本发明的全碳基忆阻突触器件为实现全碳基神经形态计算系统提供了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模拟 型全碳基忆阻 突触 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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