[发明专利]一种全无机钙钛矿薄膜的多态高稳定性阻变存储器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911420606.X 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111129298A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 刘雍;朱媛媛;王红军;程鹏伟;熊锐 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 李丹
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种全无机钙钛矿薄膜的多态高稳定性阻变存储器及其制备方法:首先利用固相反应法制备出CsPbBr3粉末,将此粉末溶解于溶剂之中获得均匀溶液;选择合适的衬底并在其表面沉积一层金属薄膜作为下电极材料,将制备的溶液旋涂于沉积有下金属电极的衬底之上,在惰性气体环境中(如氮气或者氩气)退火得到CsPbBr3薄膜阻变层;最后利用掩模版在CsPbBr3薄膜之上沉积金属电极作为上金属电极,即获得高稳定性的阻变存储器;通过调控饱和电流,使得制备的阻变器件具有多态特性。本发明所述的具有多态及高稳定特性阻变存储器具有结构简单、经济低耗、性能优异和稳定性好的优点。
搜索关键词: 一种 无机 钙钛矿 薄膜 多态高 稳定性 存储器 及其 制备 方法
【主权项】:
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