[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911420671.2 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN113130789B 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;朱阳波
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,包括:阳极、阴极、设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层,其中,所述叠层包括量子点发光层、电子传输层和设置在所述量子点发层与所述电子传输层之间的脂肪胺修饰层,所述量子点发光层设置在靠近所述阳极一侧,所述电子传输层设置在靠近所述阴极一侧,所述电子传输层的材料包括ZnO纳米线。本发明通过将脂肪胺修饰层设置在电子传输层(含有ZnO纳米线的电子传输薄膜)与量子点发光层之间,增强了电子传输层的电子传输,减少能耗;改善了电子传输层与量子点发光层的界面接触质量,降低功函数,减小电子注入势垒;两者协同提高了电子传输层的传输效率及稳定性,进而改善了QLED的发光效率和使用寿命。
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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