[发明专利]一种高导热率半导体衬底及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201911421077.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111009497B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 唐吉龙;王鹏华;魏志鹏;贾慧民;晏长岭;金亮;方铉;张贺;王登魁;马晓辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L21/48;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及新型衬底材料技术领域，提供了一种高导热率半导体衬底，所述高导热率半导体衬底中半导体基底背面为连续沟槽结构，所述连续沟槽结构的内表面被类金刚石薄膜覆盖；所述连续沟槽结构的深度为8～12μm。本发明将高导热率半导体衬底的沟槽结构设计成连续的，然后在连续沟槽的内表面覆盖类金刚石薄膜，利用类金刚石薄膜的高热导特性以及连续沟槽结构，使得本发明提供的半导体衬底在具有纵向高效散热的同时，兼具横向散热的优势，有效提高了半导体衬底的导热效率。本发明提供的半导体衬底在纵向及横向均能高效散热，大大提高了散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导热 半导体 衬底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911421077.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
