[发明专利]一种基于二维黑磷材料实现IGZO光电流调控的方法

摘要

本发明公开了一种基于二维黑磷材料实现IGZO光电流调控的方法，属于半导体器件领域。本发明提出了一种利用干法转移技术制备IGZO‑黑磷异质结构的方法，并且通过改变IGZO与黑磷之间的接触方式，可以实现IGZO对不同激光波长光电流响应的调控，该方法中IGZO沟道和电极都借助掩膜版进行磁控溅射，重复性好且能够实现大面积多器件的制备，黑磷样品通过机械剥离法制备，厚度和尺寸均可控制，异质结的制备利用干法转移技术，操作简单，可控性强。该发明有利于推动IGZO薄膜在微纳领域和半导体行业的发展。