[发明专利]一种单层薄膜临界厚度估值计算方法有效
| 申请号： | 201911421463.4 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111121653B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张传维;夏小荣;李伟奇;郭春付;刘世元 | 申请（专利权）人： | 武汉颐光科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 谢洋 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区汤逊湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单层薄膜临界厚度估值计算方法，该方法包括：通过椭偏仪测量获取样件在不同薄膜厚度下的振幅比角Ψ和相位差角Δ光谱曲线；设定参与拟合的参数的优化搜索区间，利用残差评价函数衡量拟合误差，得到不同薄膜厚度对应的拟合结果；基于不同薄膜厚度对应的光谱，求解参与拟合的参数的雅克比矩阵及待测参数的协方差矩阵；根据不同薄膜厚度下的协方差矩阵值，提取不同薄膜厚度参数不确定度及参数间的相关系数数值以计算单层光学薄膜及半导体薄膜的临界厚度。通过该方案解决了现有技术难以准确计算单层薄膜临界厚度的问题，可以准确可靠地评估计算单层薄膜临界厚度值，保障光谱椭偏测量的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 薄膜 临界 厚度 计算方法 | ||
【主权项】：
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