[发明专利]一种改善LDS工艺中化镀层溢镀及附着力性能的方法在审

专利信息
申请号: 201911421564.1 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN110996539A 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: 马承文;张文宇;孔维贞;胡宗亮;张东胜 申请(专利权)人: 上海安费诺永亿通讯电子有限公司
主分类号: H05K3/10 分类号: H05K3/10
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 贺姿;胡晶
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供了一种改善LDS工艺中化镀层溢镀及附着力性能的方法,其包括如下步骤:利用LDS技术对基板进行激光活化,活化出若干个第一导电区域;对若干个第一导电区域的边界采用激光束进行扫描,得到第二导电区域,且第二道激光处理中采用的激光束的能量较第一道激光处理中采用的激光束的能量低;对若干个第二导电区域进行金属化,形成线路,相邻线路之间的间距为0.1~0.3mm。本发明在现有LDS工艺的基础上增加了一道激光处理工艺,先采用较大功率的激光对基板进行激光活化,再采用较小功率的激光对活化区域的边界进行激光活化,使用该方法加工小间距线路的线路板时,既能降低化镀层溢镀的风险,又能保证化镀层的附着力能通过百格测试。
搜索关键词: 一种 改善 lds 工艺 镀层 附着力 性能 方法
【主权项】:
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