[发明专利]一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管有效
| 申请号： | 201911421636.2 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113130790B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘芙蓉 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒、结合在所述ZnO纳米颗粒表面的InOOH量子点。本发明通过在ZnO纳米颗粒表面引入InOOH量子点，所述InOOH量子点与ZnO纳米颗粒结合，在ZnO纳米颗粒表面形成ZnO‑InOOH异质结构。所述纳米材料用作电子传输层材料时，该异质结构可优化ZnO成膜质量，同时减少ZnO表面缺陷，减少表面缺陷对电子的俘获，改善电子‑空穴的复合效率，从而提高器件光电性能及稳定性。同时，通过在所述InOOH量子点上连接疏水性有机分子，可以提高器件疏水性，降低环境中水氧对器件性能的影响，从而进一步提高器件光电性能及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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