[发明专利]一种单晶硅片的清洗及制绒方法

摘要

本发明属于太阳能电池单晶硅片的制绒领域，具体涉及一种单晶硅片的清洗及制绒方法。清洗方法包括：1)将切割好的单晶硅片在氨水溶液中浸泡清洗，且在清洗的过程中不对单晶硅片造成刻蚀；2)将经过步骤1)处理后的单晶硅片在硝酸和氟化氢的混合酸液中浸泡清洗，并在单晶硅片表面形成10‑15μm的刻蚀量，形成光滑的单晶硅片表面；3)将经过步骤2)处理后的单晶硅片在双氧水和氢氧化钾/氢氧化钠的混合液中进行清洗，在单晶硅片表面形成8‑13μm的刻蚀量。采用本发明所述的清洗方法后对单晶硅片进行制绒，可形成凹凸程度更明显的绒面结构，减少单晶硅片表面绒面反射率，可进一步提高太阳能电池的效率。