[发明专利]一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜结构，在电池片的两面TCO层表面制备氮化硅或者氧化硅或者氮化硅‑氧化硅的复合薄膜作为铜电镀栅线的掩膜，掩膜在铜电镀栅线制备完成后留在电池片的表面，不移除；掩膜与TCO的折射率相互匹配。本发明还公开一种HAC电池用铜电镀栅线的掩膜制备方法，在沉积了非晶硅的晶体硅片的两个表面各沉积ITO薄膜作为TCO层，再采用板式PECVD或热丝CVD方法在两个ITO薄膜表面各沉积氮化硅或者氧化硅或者氮化硅‑氧化硅复合薄膜作为铜电镀栅线的掩膜层，掩膜在铜电镀栅线制备完成后留在电池片的表面，不移除。本发明实现了以比光刻法工序短的方法制备镀铜栅线的掩膜，所得掩膜在栅线制备完成后保留在电池片表面改善TCO的减反射效果。