[发明专利]一种制备压电陶瓷薄膜的方法在审
申请号: | 201911424290.1 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN113122801A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 野村幸治;吴华;中野阳介;吕艳飞;李广志 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/18 | 分类号: | C23C14/18;C23C14/06;C23C14/34;C23C18/12;C23C28/00;H01L41/39 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 聂秀娜 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请实施例公开了一种制备压电陶瓷薄膜的方法,能够直接在玻璃基板上制备PZT薄膜,省去了从硅基板向玻璃基板转移的操作,从而简化制备过程,并可以采用大面积玻璃基板进行制备,提高生产效率。本申请实施例方法包括:在温度低于玻璃软化点的条件下,采用溅射法在玻璃基板上制备种子层;在温度低于玻璃软化点的条件下,在所述种子层上制备锆钛酸铅压电陶瓷PZT薄膜层。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 压电 陶瓷 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
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