[发明专利]具有叠置单元的半导体结构及制造方法、电子设备有效
| 申请号： | 201911424796.2 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111326503B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张兰月;庞慰;温攀;张巍;杨清瑞;张孟伦 | 申请（专利权）人： | 诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人： | 汤雄军 |
| 地址： | 300462 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有叠置单元的半导体结构，包括沿半导体结构的厚度方向上叠置的至少两个单元，所述至少两个单元设置有至少一个芯片、且包括至少一个单元对，所述单元对包括在半导体结构的厚度方向上相邻的上单元和下单元，上单元在下单元上方，其中：上单元与下单元均包括基底；上单元的基底下表面设置有向下凸出的多个凸起结构，所述凸起结构覆盖有键合层而与凸起结构一起形成键合‑凸起结构；下单元的基底上表面设置有向上凸出的导电凸块，所述键合‑凸起结构与对应的导电凸块彼此相对对齐且键合连接，上单元的基底的下表面与下单元的基底的上表面之间限定第一容纳空间。本发明还涉及具有叠置单元的半导体结构的制造方法及具有该结构的电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 单元 半导体 结构 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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