[发明专利]一种紫外高反射率的复合电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201911424903.1 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111129257B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 易翰翔;李玉珠;武杰;张洪安;陈慧秋 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/42 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外高反射率的复合电极，包括N型层、设于所述N型层上方的量子阱及设于所述量子阱上方的P型层，所述P型层上方设有多个独立的ITO圆柱，所述ITO圆柱表面设有连续的Al薄膜。本申请复合电极中，通过ITO圆柱图形化及纯Al薄膜的搭配设计，大大改善了电流扩展效果，减少ITO吸光面积，减少反射路径和路经的吸光层；形成纯Al+DBR的复合反射层，大大提高反射率。同时，本发明还公开一种所述紫外高反射率的复合电极的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 反射率 复合 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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