[发明专利]一种LED倒装芯片的紫光外延结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911424944.0 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN110970533B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 武杰;易翰翔;李玉珠;张洪安;陈慧秋 申请(专利权)人: 广东德力光电有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文;郝传鑫
地址: 529000 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种LED倒装芯片的紫光外延结构,自下而上依次包括:衬底、高温AlGaN缓冲层、N型AlGaN电子阻挡层、超晶格N型AlGaN层、超晶格AlGaN/AlInGaN层、Alx1Iny1Ga1-x1-y1N/Alx2Iny2Ga1-x2-y2N发光有源区、最后一个AlX3Ga1-X3N量子垒层、P型AlGaN/AIInGaN电子阻挡层、P型AlGaN层和接触层;其中,Alx1Iny1Ga1-x1-y1N/Alx2Iny2Ga1-x2-y2N发光有源区包括多个交错层叠设置的AlInGaN量子阱层和AlInGaN量子垒层,且AlInGaN量子阱层和AlInGaN量子垒层均为Al组分渐变层。本发明还公开了一种LED倒装芯片的紫光外延结构的制备方法。本发明既能减少由材料不同带来的应力及极化电场影响,又能降低GaN材料在365~370nm波段的吸光,提高发光效率。
搜索关键词: 一种 led 倒装 芯片 紫光 外延 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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